Depuis une broche 3,3 V ou 5 V
| Broche | Verdict | Pourquoi | À l’air libre |
|---|---|---|---|
| ESP32 · 3,3 V | Fonctionne | 120 Ω sur la base : jusqu’à 1,7 A de charge avec un gain de 250 | 800 mA (chaleur) |
| Arduino Uno · 5 V | Fonctionne | 220 Ω sur la base : jusqu’à 2,8 A de charge avec un gain de 250 | 800 mA (chaleur) |
À l’air libre à 25 °C, jonction 25 °C sous son maximum de 150 °C et θJA 62,5 °C/W, depuis une broche de 20 mA au gain forcé de la datasheet, sans dépasser le courant le plus élevé dont la tension de saturation est garantie.
Caractéristiques
| Type | NPN Darlington |
|---|---|
| Boîtier | TO-220 |
| Tension maximale | 60 V |
| Courant maximal | 5 A |
| Gain minimal hFE | 1 000 à IC = 500 mA · 1 000 à IC = 3 A |
| VCE(sat) maximale | 2 V à 3 A (IC = 250 × IB) · 4 V à 5 A (IC = 250 × IB) |
| VBE(on) maximale | 2,5 V à 3 A (VCE 3 V) |
| Résistance thermique | θJA 62,5 °C/W · θJC 1,9 °C/W |
| Température de jonction maximale | 150 °C |
| Datasheet utilisée | onsemi |
Brochage
| Broche | Fonction |
|---|---|
| 1 | base |
| 2 | collecteur |
| 3 | émetteur |
Face imprimée vers vous, pattes vers le bas : la broche 1 est à gauche. La languette métallique est reliée à la broche 2.
Composants proches
| Composant | Boîtier | VCE(sat) garantie | Tension max | Courant max |
|---|---|---|---|---|
| TIP120 | TO-220 | 4 V à 5 A (IC = 250 × IB) | 60 V | 5 A |
| 2N2222A | TO-92 | 1 V à 500 mA (IC = 10 × IB) | 40 V | 600 mA |
| 2N3904 | TO-92 | 0,3 V à 50 mA (IC = 10 × IB) | 40 V | 200 mA |
| BC547 | TO-92 | 0,6 V à 100 mA (IC = 20 × IB) | 45 V | 100 mA |
| S8050 | SOT-23 | 0,6 V à 500 mA (IC = 10 × IB) | 25 V | 500 mA |
Conseils
La résistance de base est calculée pour IC = 250 × IB, la condition de la tension de saturation de la datasheet. Un gain plus élevé tiré de la colonne hFE laisserait le transistor à moitié passant et chaud.
Toute bobine demande une diode de roue libre à ses bornes, cathode vers le positif. Sans elle, la surtension à la coupure peut détruire le transistor dès la première commutation.
La diode interne du TIP120 (de l’émetteur vers le collecteur) ne conduit que si le collecteur descend sous l’émetteur : elle n’absorbe pas la surtension de la bobine à l’ouverture ; placez donc la diode de roue libre sur la charge.
Un TO-220 à l’air libre dissipe peu : montez un dissipateur, isolé si la languette ne doit pas le toucher (la languette est le drain ou le collecteur).
Ouvrir le calcul →Vérifiez le TIP120 avec votre charge, votre alimentation, la fréquence PWM et la température.
Autres transistors
2N2222A 2N3904 BC547 S8050 2N7000 BS170 AO3400A Si2302 IRLML6344 IRLZ44N IRLB8721 IRF520 IRF540N AO3401A IRF9540N
Questions fréquentes
Le TIP120 fonctionne-t-il avec un ESP32 en 3,3 V ?
Oui, avec une résistance de base : au gain de 250 que la datasheet utilise pour la saturation, une broche de 20 mA commande le TIP120 jusqu’à 1,7 A de charge. Pour plus de courant, prenez un MOSFET à niveau logique.
Quel courant le TIP120 peut-il commuter sans dissipateur ?
Environ 800 mA depuis une broche 3,3 V d’ESP32, à l’air libre à 25 °C, en gardant la jonction 25 °C sous son maximum de 150 °C (limite : chaleur).
Quel est le brochage du TIP120 ?
TO-220 : 1 base, 2 collecteur et 3 émetteur. Face imprimée vers vous, pattes vers le bas : la broche 1 est à gauche. La languette métallique est reliée à la broche 2.
Source des valeurs : datasheet onsemi (PDF)